1.产能
硅片尺寸：125mm×125mm、 156mm×156mm硅片；
产量：400片/批（单面工艺）；
工艺类型：液态磷源扩散工艺；
2.温度控制系统
炉膛有效内径：Ф350mm（石英管外径Ф330mm）；
温度控制范围：400～1100℃；
恒温区长度及精度：≤±0.5℃/1080mm（801～1100℃），≤±1℃/1080mm（400～800℃）；
单点温度稳定性：≤±0.5℃/4h（900℃时）；
液态源温控制精度：20℃±0.5℃；
炉体升降温速率：最大升温速率：25℃/分钟，最大降温速率：5℃/分钟；
温度控制方式：五段双回路温度串级控制；
3.气路系统
流量控制方式：大氮、小氮、氧气流量由质量流量计控制，保护气体由浮子流量计控制；
工艺气体流量控制精度：±0.5%FS；
4.送料机构
自动上下料机构：
龙门机构速率：50mm/min～5000mm/min（连续可调）；
二级水平机构速率：20mm/min～2000mm/min（连续可调）；
定位精度：≤±1mm；
缓存位：2个；
软着陆送舟机构：
水平进舟速率50mm/min～800mm/min（连续可调）；
定位精度：≤±1mm；
垂直升降速率：8mm/min～12mm/min；
SiC桨承载区最大承载重量：15Kg；
5.控制系统
自动温控功能：具有自动斜率升降温及恒温功能；
报警保护功能：具有超温、断偶、短路、气体流量偏差等报警和保护功能；
工艺控制方式：工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作；
可存储100条以上的工艺曲线，每条工艺曲线不少于30个拐点；
6.其他技术参数
净化工作台净化级别：1000级（环境10000级）；
炉口环境隔离方式:洁净气帘；
设备峰值功率：≤200KVA（4管），保温功率约100KVA（4管）；
